首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2021年6月21日 目前的石墨底座主要由3个配件组合而成： 石墨卡瓣、 石墨帽、 石墨底座， 使用时， 将石墨卡瓣装入石墨帽， 然后组装石墨底座与石墨 帽， 将石墨卡瓣顶紧， 石 2023年12月16日 本发明的石墨底座中在安装孔的内壁上设置镀层，避免了高温下石墨接触电子级多晶硅，解决了因石墨而造成的电子级多晶硅产品品质下降问题。具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统-CN117604634A
了解更多
2024年5月23日 本发明公开了多晶硅石墨底座自动切削系统，涉及材料切割技术领域，包括控制中心，所述控制中心包括数据采集模块、数据处理模块、数据分析模块以及切削执行 2024年5月23日 本发明公开了多晶硅石墨底座自动切削系统，涉及材料切割技术领域，包括控制中心，所述控制中心包括数据采集模块、数据处理模块、数据分析模块以及切削执行 多晶硅石墨底座自动切削系统 - 龙图腾网
了解更多
2020年9月11日 该一体式石墨底座中卡瓣与底座本体成型为一体，可以解决现用石墨底座易导致的电子级多晶硅制品低品质及底座稳定性及强度差的问题。 在本发明的一个方面， 2005年12月29日 多晶硅石墨底座处理 重工矿渣立式磨:一种多晶硅氢化炉用石墨底座-查询下载 本实用新型公开了一种多晶硅氢化炉用石墨底座，它是用来将发热体与外部供电设 多晶硅石墨底座处理 -采石场设备网
了解更多
2020年6月3日 本实用新型公开了一体式石墨底座和一种电子级多晶硅生产系统。. 其中，一体式石墨底座包括：本体、卡瓣结构、间隙和电极配置孔。. 卡瓣结构设在本体上部，与 2023年12月16日 本专利由洛阳中硅高科技有限公司申请，2024-02-27公开，本发明公开了一种具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统，包括底座和设置在底座上的石墨卡 具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统-CN117604634A
了解更多
一种多晶硅还原炉石墨卡瓣加工底座. 本实用新型公开了种多晶硅还原炉石墨卡瓣加工底座,包括基座,所述基座的内部预留有放置槽,且放置槽的内部设置有石墨本体,所述基座的边侧开 2018年7月13日 多晶硅石墨底座处理1668309与叶轮的轴向和径向间隙均为毫米。 The requirement that the grain with what put forward from angle of degree of cement to hydrate does not exceed is compared, grain slants much. . 多晶硅石墨底座处理
了解更多
本企业石墨、多晶硅、碳素专用锯床质量保证欢迎咨询洽谈。表面处理(22)单晶硅、多晶硅(8)其他石墨及碳素产品(7)功能陶瓷材料。多晶硅还原炉底座镜面抛光类型:抛光工件材质:不锈钢所属分类:产品关键。真空石墨煅烧炉主要用做多晶硅生产线中的还原炉,这种2017年8月10日 从以上石墨的居多优良特性中可以看出, 石墨作为一种工业生产原料,有着很多独特的优点,因此石墨材料在工业生产中有着广泛的应用,尤其是在光伏行业快速发展的今天,石墨材料得到了更加普遍的应用。. 高纯石墨的生产方法. 石墨深加工产业的前提是提纯，石 石墨材料在光伏行业中的应用
了解更多
图解 多晶硅生产废水处理工艺硅片 2018年12月20日多晶硅生产工艺 多晶相关工序是将原生硅料以及循环硅料在铸锭炉内生产成为多晶硅锭（片）。 相关工序如下： 1 工艺—清洗硅料 除去硅料表面的石英、金属 2022年3月7日图3 改良西门子法多晶硅生产工艺流程图 改良西门子法包括了H2制备与净化、HCl ...4 天之前 13、进一步的，所述数据处理模块用于对数据采集模块所获得的基础参数数据进行处理，获得多晶硅石墨底座 的三维数字结构模型的过程包括： 14、以切削操作区域的中心点为原点，构建三维坐标系；15、将各个数据采集终端组映射至三维坐标系 ...多晶硅石墨底座自动切削系统的制作方法 - X技术网
了解更多
多晶硅考试。doc_百度文库 C、检查石墨底座和石墨卡瓣是否合格，如果合格将其装在电极上。 操作时要戴上 乙烯类薄膜手套。 D、硅芯垂直装在石墨底座上后用手拧紧石墨夹头，使硅芯与石墨夹头、电极间连 接紧密、牢固及接触良好。多晶硅石墨底座处理 2022-01-29T13:01:11+00:00 多晶硅石墨底座处理 多晶硅石墨底座处理 2018年3月23日 太阳能电池组件一般选用单晶硅或者多晶硅太阳能电池组件；led灯头 工作,不需要挖沟布线,但灯杆需要装置在预埋件（混凝土底 传统的多晶硅还原炉 ...多晶硅石墨底座处理
了解更多
2020年6月3日 本实用新型公开了一体式石墨底座和一种电子级多晶硅生产系统。. 其中，一体式石墨底座包括：本体、卡瓣结构、间隙和电极配置孔。. 卡瓣结构设在本体上部，与本体为一体式结构；卡瓣结构包括多个子卡瓣，多个子卡瓣之间形成有间隙；电极配置孔设在本体 ...2020年6月3日 本发明公开了一体式石墨底座和一种电子级多晶硅生产系统。其中，一体式石墨底座包括：本体、卡瓣结构、间隙和电极配置孔。卡瓣结构设在本体上部，与本体为一体式结构；卡瓣结构包括多个子卡瓣，多个子卡瓣之间形成有间隙；电极配置孔设在本体下部。一体式石墨底座和电子级多晶硅生产系统 - 龙图腾网
了解更多
2019年12月10日 多晶硅碳头料处理装置-（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）实用新型专利（10）申请公布号 CN209752975U（43）申请公布日 ... 本实用新型的主要技术方案为：一种多晶硅碳头料处理装置，包括：底座，底座上具有凹槽，用于固定石墨 ...2024年2月28日 触电子级多晶硅，解决了因石墨而造成的电子级 多晶硅产品品质下降问题。 A 4 3 6 4 0 6 7 1 1 N C CN117604634A权利要求书1/1页 1.一种具有镀层的石墨底座，包括底座和设置在底座上的石墨卡瓣，其特征在于：所述 石墨卡瓣包括围绕石墨卡瓣中心分布的若干具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统.pdf-原创力文档
了解更多
2019年11月8日 建筑垃圾球磨机建筑垃圾球磨机简介我国每年产生的建筑垃圾约在15.5亿吨左右多晶硅石墨底座处理,1150 型破碎机这些建筑垃圾不仅影响美观，。还侵蚀着我们的生活环境，造成一定的安全隐患。 ...知乎专栏 - 随心写作，自由表达 - 知乎
了解更多
4 天之前 7.根据权利要求1所述的用于多晶硅生产的石墨夹头，其特征在于，所述底座具有外螺纹，所述卡帽具有内螺纹。8.一种如权利要求5所述石墨夹头的安装方法，其特征在于，包括如下步骤：1）将多个卡瓣放置于底座上方，且相邻的卡瓣相互抵接；技术总结多晶硅生产工艺过程如下：首先进行装炉，将硅芯安装于底盘电极之上，通过石墨配件定位和固定(硅芯规格各生产厂家控制标准不一，高度一般为2.2～2.8 m，截面为圆形或方形，直径或边长为8～15 mm不等)，硅芯安装完毕即可将炉筒和底盘进行紧固，经过试压还原炉生产多晶硅常见问题及对策探讨 - 百度文库
了解更多
2024年6月14日 本申请公开了一种用于多晶硅生产的石墨夹头，包括底座、卡帽、夹持部、卡瓣部，所述底座和卡帽螺纹连接，卡帽具有被所述夹持部穿过的穿孔，所述夹持部包括多个夹块，所述卡瓣部包括多个卡瓣，所述卡帽能够抵接多个夹块，所述夹块能够抵接所述卡瓣。本申请的石墨夹头能够应用于多晶硅的 ...2012年2月15日 专利名称：一种多晶硅氢化炉用石墨底座的制作方法 技术领域： 本实用新型涉及冶炼装备，具体是一种多晶硅氢化炉用石墨底座。 背景技术： 在多晶硅生产过程中会产生剧毒的四氯化硅尾气。为了处理这些尾气可以将它们通入到氢化炉中，使四氯化硅与氢气发生氢化反应，再将生成的三氯氢硅 ...一种多晶硅氢化炉用石墨底座的制作方法 - X技术网
了解更多
CN410322. 摘要：. 本实用新型公开了种多晶硅还原炉石墨卡瓣加工底座,包括基座,所述基座的内部预留有放置槽,且放置槽的内部设置有石墨本体,所述基座的边侧开设有滑槽,且滑槽的内部安装有铁丝网的底部,所述铁丝网的顶部安装有水管,且水管位于石墨本体的上方 ...2023年12月16日 本发明的石墨底座中在安装孔的内壁上设置镀层，避免了高温下石墨接触电子级多晶硅，解决了因石墨而造成的电子级多晶硅产品品质下降问题。. 主权项： 1.一种具有镀层的石墨底座，包括底座和设置在底座上的石墨卡瓣，其特征在于：所述石墨卡瓣包括围 具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统_洛阳中硅高科技 ...
了解更多
2009年7月22日 本发明涉及多晶硅还原炉石墨电极的领域，特别是多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法。背景技术在多晶硅生产中，硅芯棒由石墨电极与还原炉铜电极相连在iioo'c沉积多晶硅。石墨电极材质的纯度将影响多晶硅的质量。为了减少石墨电极中的杂质对多晶硅质量的影响，一般采取高温(110(TC)煅烧抽 ...2023年11月18日 本发明涉及一种多晶硅还原炉底座密封垫片及制作工艺。密封垫片包括中芯层以及表面垫层；中芯层为不锈钢材质制成；表面垫层原料如下，硅橡胶、丁腈橡胶、石墨粉末、硫化剂、抗老化剂、偶联剂、促进剂、氧化金属类助剂、二氧化硅、稳定剂。多晶硅还原炉底座密封垫片及制作工艺-CN117553122A ...
了解更多
2023年12月16日 一种电子级多晶硅还原尾气的处理系统 一种电子级多晶硅的轻刻蚀工艺 Note Save Team Comments Cancel ... 具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统. CN Patent CN117604634A, filed Dec 16, 2023, and issued Feb 27, 2024.2009年7月22日 本发明公开了多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法，其特征在于：对石墨电极分别进行三次水淬，即先对石墨电极进行三次加热然后分别进行三次水浸冷却，水浸冷却时通过纯水进入被加热的石墨电极内部，石墨电极将纯水汽化为蒸汽，蒸汽将石墨中的杂质 ...多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法 - 百度文库
了解更多
2024年4月30日 2023年以来，丹棱县陆续落户建成8.8GW异质结电池片、4万只高纯石英坩埚、多晶硅石墨底座 等上下游配套项目，形成了以琏升光伏为龙头，和润新材料、海川新材料为代表的晶硅光伏产业基础。 其中，光伏下一代高效异质结技术是丹棱重点发展 ...
了解更多